一般社団法人新金属協会

化合物半導体部会2013年度業況報告

化合物半導体部会(部会長:平野 立一 JX日鉱日石金属株式会社 電材加工事業本部 薄膜材料事業部 化合物半導体ユニット ユニット長)は、2013年度の出荷実績を集計しこれを発表するとともに
業界の業況について次の通り総括しました。

2013年度(2013年4月〜2014年3月)の化合物半導体製品の出荷額は、前年度比104%の284億円となり、対前年度で10億円の増加となった。
結晶別では、主要3品目のうちGaPが減少した一方、GaAsが増加、InPは前年並みとなった。
用途別では電子デバイスで落ち込んでおり、前年度比96%となった。
一方、可視LED、赤外LED及びLDはそれぞれ前年度比102%、110%、106%の伸びとなった。

化合物半導体業況と13年度実績