

2025年通期(2025 年 1 月~2025年 12月)の化合物半導体製品の出荷額は、前年同期比 16%増の348億円となりました。 結晶別ではGaP、InPにおいて増加、GaAsは横ばい、その他は減少となりました。 用途別では可視LED、LD、その他は増加、赤外LEDは減少と...
2025年通期(2025 年 1 月~2025年 12月)の化合物半導体製品の出荷額は、前年同期比
16%増の348億円となりました。
結晶別ではGaP、InPにおいて増加、GaAsは横ばい、その他は減少となりました。
用途別では可視LED、LD、その他は増加、赤外LEDは減少となりました。
1.GaAs
2025 年通期のGaAsの売上高は、前年同期とほぼ同じ184億円となりました。
国内向けは前年同期比4%減の30億円となりましたが、大半を占める海外向けが前年同期とほぼ同じ154億円でした。
GaAsの主な用途市場はスマートフォン等に使用される高周波デバイス、また各種の表示機器やセンサ
等に使用される可視・赤外 LED、および光ディスク・加工機・センサ等に使用されるレーザダイオード
(LD)等です。2025年は前半に需要が減少しましたが、後半には回復し、通期では2024年と同程度になりました。中国のガリウム輸出規制やトランプ関税などが複合的に影響した可能性があります。
2.GaP
2025年通期のGaP の売上高は、前年同期比53%増の10.6億円と大きく増加しました。
国内向けは同59%増の3.2億円、海外向けは同50%増の7.4億円と共に増加。
GaPの主要用途は可視LEDです。前年同期では在庫過多状況が続いていましたが、回復傾向が進んだと推察されます。また、AI普及によるデータセンター向け需要拡大も増加傾向を促進したと推測されます。
3.InP
2025 年通期の InP の売上高は、前年同期比58%増の134億円と大きく増加しました。
国内向けは同91%増の51億円、海外向けが同42%増の83億円と共に増加。
InPの主要用途である光部品向け受発光素子が、データセンター向けを中心として高需要が継続したことに加え、2025年2月に発動された中国輸出規制の影響により、日系メーカーへの需要増が継続していると推察されます。
・協会会員外の化合物半導体メーカーにも広く調査協力を呼びかけ、化合物半導体の市場規模調査を実施し、業界動向についての基礎資料の充実を図るとともに、上期と下期の2回に分けて、業界の出荷状況を経済産業省と報道機関に報告しました。また、市場規模調査の在り方等について検討し、引き続き統計類の充実を図るた...
・協会会員外の化合物半導体メーカーにも広く調査協力を呼びかけ、化合物半導体の市場規模調査を実施し、業界動向についての基礎資料の充実を図るとともに、上期と下期の2回に分けて、業界の出荷状況を経済産業省と報道機関に報告しました。また、市場規模調査の在り方等について検討し、引き続き統計類の充実を図るための活動を進めました。
・非鉄金属7団体が共同で運営する学生リクルート向けホームページの維持、管理を行いました。
・協会ホームページで部会活動、業界動向等の情報を広く発信するための議論を行い、発信内容を検討しました。
導体と絶縁体の中間にあって、条件次第では導体にも絶縁体にもなり得る物質の総称である。
Si,Ge等は単体の元素の半導体であるが、複数の元素の化合物で半導体の性質をもつものを…
導体と絶縁体の中間にあって、条件次第では導体にも絶縁体にもなり得る物質の総称である。
Si,Ge等は単体の元素の半導体であるが、複数の元素の化合物で半導体の性質をもつものを化合物半導体と呼ぶ。その組合わせは、いろいろあるが代表的なものとして周期律表のⅢ族とⅤ族(GaAs,GaP,InP等)あるいはⅡ族とⅥ族(ZnSe,CdSe等)、Ⅳ族同士(SiC)の組合わせがあり、それぞれ異なった機能を発揮する。


化合物半導体にはSi等の単体元素半導体に比べ、次のような優れた特徴がある。
・受発光機能
・高速動作特性
・高周波特性
・磁電変換機能
・耐放射線・耐熱特性
